500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 2 |
元件数量 | 1 |
最大击穿电压 | 29.5 V |
最小击穿电压 | 26.7 V |
加工封装描述 | 塑料 PACKAGE-2 |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 圆 |
包装尺寸 | LONG FORM |
端子形式 | 线 |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | AXIAL |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
工艺 | AVALANCHE |
结构 | 单一的 |
壳体连接 | 隔离 |
二极管元件材料 | 硅 |
最大功耗极限 | 2.5 W |
极性 | 双向 |
二极管类型 | TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管 |
关闭电压 | 24 V |
最大非重复峰值转速功率 | 500 W |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved