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DEXS-1106S

产品描述Ultra Fast Recovery Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小354KB,共7页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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DEXS-1106S概述

Ultra Fast Recovery Diode

DEXS-1106S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SANKEN
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用ULTRA FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流50 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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V
RM
= 600 V, I
F(AV)
= 10 A, t
rr
= 19 ns
Ultra Fast Recovery Diode
DEXS-1106S
Features
The DEXS-1106S is a fast recovery diode of
600 V / 10 A. The typical t
rr
of 19 ns (I
F
: I
RP
= 1 : 2) is
realized optimizing a life-time control. The low thermal
resistance package achieves high performance in terms
of heat dissipation.
V
RM
------------------------------------------------------ 600 V
I
F(AV)
------------------------------------------------------- 10 A
V
F
(100 °C) --------------------------------------1.2 V (typ.)
t
rr
(I
F
: I
RP
= 1 : 2) -------------------------------- 19 ns (typ.)
Package
TO220-2L
Applications
● PFC circuit (CCM)
● Freewheel Diode
(Offline Buck and Buck-boost Converter)
1
1
2
2
Not to scale
Absolute Maximum Ratings
Unless otherwise specified, T
A
is 25 °C
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Surge Forward Current
I
2
t Limiting Value
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
RM
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
T
j
T
stg
Rating
600
10
100
50
−40 to 150
−40 to 150
Unit
V
A
A
A
2
s
°C
°C
10 ms
Half sinewave, one shot
1 ms
t
≤10
ms
Notes
Electrical Characteristics
Unless otherwise specified, T
A
is 25 °C
Parameter
Forward Voltage Drop
Reverse Leakage Current
Reverse Leakage Current
Under High Temperature
Reverse Recovery Time
t
rr2
Symbol
V
F
I
R
H½I
R
t
rr1
Test Conditions
T
A
= 25 °C, I
F
= 10 A
T
A
= 100 °C, I
F
= 10 A
V
R
= V
RM
V
R
= V
RM
, T
j
= 150 °C
I
F
= I
RP
= 500 mA,
T
j
= 25 °C, 90 % recovery point
I
F
= 500mA, I
RP
= 1000 mA,
T
j
= 25 °C, 75 % recovery point
Min.
Typ.
1.3
1.2
24
19
Max.
1.6
50
15
30
25
Unit
V
V
µA
mA
ns
ns
Thermal Resistance*
R
th(j-L)
3.0
°C/W
* R
th(j-L)
is thermal resistance between junction and Lead. Lead temperature (T
L
) is measured at the under of the
screw hole of buck side.
DEXS-1106S-DSE Rev.1.0
Jun. 16, 2015
SANKEN ELECTRIC CO.,LTD.
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
1
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