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SA5219N

产品描述Wideband variable gain amplifier
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小170KB,共18页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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SA5219N概述

Wideband variable gain amplifier

SA5219N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Codeunknown
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
端子数量16
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码DIP16,.3
电源5 V
最大压摆率50 mA
表面贴装NO
技术BIPOLAR
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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INTEGRATED CIRCUITS
SA5219
Wideband variable gain amplifier
Product specification
Replaces data of 1993 Dec 10
IC17 Data Handbook
1997 Nov 07
Philips Semiconductors

SA5219N相似产品对比

SA5219N SA5219D SA5219
描述 Wideband variable gain amplifier Wideband variable gain amplifier Wideband variable gain amplifier
是否Rohs认证 不符合 符合 -
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) -
Reach Compliance Code unknown unknow -
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT SURFACE MOUNT -
端子数量 16 16 -
最高工作温度 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装等效代码 DIP16,.3 SOP16,.25 -
电源 5 V 5 V -
最大压摆率 50 mA 50 mA -
表面贴装 NO YES -
技术 BIPOLAR BIPOLAR -

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