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PUMT1

产品描述PNP general purpose double transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PUMT1概述

PNP general purpose double transistor

PUMT1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SC-88
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量2.2 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.2 V

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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, halfpage
MBD128
PUMT1
PNP general purpose double
transistor
Product data sheet
Supersedes data of 1999 Apr 14
2001 Dec 19

PUMT1相似产品对比

PUMT1 PUMT1/DG,115
描述 PNP general purpose double transistor PNP general purpose double transistor
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SC-88 TSSOP
针数 6 6
Reach Compliance Code compli unknow
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