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LY61L10248AGL-10IT

产品描述1M X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小290KB,共13页
制造商Lyontek
官网地址http://www.lyontek.com.tw/index.html
标准
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LY61L10248AGL-10IT概述

1M X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

LY61L10248AGL-10IT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Lyontek
包装说明LFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度8 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm

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®
LY61L10248A
Rev. 1.3
1M X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
REVISION HISTORY
Revision
Rev. 1.0
Rev. 1.1
Description
Initial Issued
1.“CE#
V
CC
- 0.2V” revised as ”CE#
0.2” for TEST
CONDITION of Average Operating Power supply Current
Icc1 on page3
2.Revised
ORDERING INFORMATION
Page11
1. Revise “TEST CONDITION” for VOH, VOL on page 4
I
OH
= -8mA revised as -4mA
I
OL
=4mA revised as 8mA
2. Revise VIH(max) & VIL(min) note on page 4
VIH(max) = VCC + 2.0V for pulse width less than 6ns.
VIL(min) = VSS - 2.0V for pulse width less than 6ns.
Revised the address pin sequence of TSOP-II pin configuration on
page 3 in order to be compatible with industry convention. (No
function specifications and applications have been changed and all
the characteristics are kept all the same as Rev 1.2 )
Issue Date
2012/2/21
July.19. 2012
Rev. 1.2
June. 04. 2013
Rev. 1.3
Oct. 30. 2013
Lyontek Inc.
reserves the rights to change the specifications and products without notice.
5F, No. 2, lndustry E . Rd. 9, Science-Based Industrial Park, Hsinchu County 300, Taiwan
TEL: 886-3-6668838
FAX: 886-3-6668836
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