Single power supply 2-input POSITIVE NAND gate logic level shifter 5-SC70 -40 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SC-70, 5 PIN |
| 针数 | 5 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| Is Samacsys | N |
| 系列 | LV/LV-A/LVX/H |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 2 mm |
| 负载电容（CL） | 30 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.008 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 位数 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 5 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP5/6,.08 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 6.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 14 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 1.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1.25 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SN74LV1T00DCKR | SN74LV1T00DBVR | |
|---|---|---|
| 描述 | Single power supply 2-input POSITIVE NAND gate logic level shifter 5-SC70 -40 to 125 | Single power supply 2-input POSITIVE NAND gate logic level shifter 5-SOT-23 -40 to 125 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOT-23 |
| 包装说明 | SC-70, 5 PIN | LSSOP, TSOP5/6,.11,37 |
| 针数 | 5 | 5 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks | 6 weeks |
| 系列 | LV/LV-A/LVX/H | LV/LV-A/LVX/H |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 2 mm | 2.9 mm |
| 负载电容（CL） | 30 pF | 30 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.008 A | 0.008 A |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 位数 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 输入次数 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 5 | 5 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | LSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP5/6,.08 | TSOP5/6,.11,37 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA | 0.01 mA |
| 传播延迟（tpd） | 14 ns | 14 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO |
| 座面最大高度 | 1.1 mm | 1.45 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.6 V | 1.6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.95 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1.25 mm | 1.6 mm |
聊聊、笑笑、闹闹
RF/无线
RF/无线
嵌入式系统
单片机
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