C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
C波段, 砷化镓, N沟道, 射频小信号, HFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 3 |
| 最小放大系数 | 12 dB |
| 最小击穿电压 | 9 V |
| 加工封装描述 | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 状态 | TRANSFERRED |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子涂层 | TIN LEAD |
| 端子位置 | SINGLE |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE |
| 壳体连接 | SOURCE |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| 通道类型 | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | HETERO-JUNCTION |
| 操作模式 | DEPLETION |
| 晶体管类型 | RF SMALL SIGNAL |
| 最大漏电流 | 0.2000 A |
| 最高频带 | C BAND |
| SHF-0189 | SHF-0189Z | |
|---|---|---|
| 描述 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最小放大系数 | 12 dB | 12 dB |
| 最小击穿电压 | 9 V | 9 V |
| 加工封装描述 | PLASTIC PACKAGE-3 | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 状态 | TRANSFERRED | TRANSFERRED |
| 包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes | Yes |
| 端子形式 | FLAT | FLAT |
| 端子涂层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE | SINGLE |
| 壳体连接 | SOURCE | SOURCE |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
| 通道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | HETERO-JUNCTION | HETERO-JUNCTION |
| 操作模式 | DEPLETION | DEPLETION |
| 晶体管类型 | RF SMALL SIGNAL | RF SMALL SIGNAL |
| 最大漏电流 | 0.2000 A | 0.2000 A |
| 最高频带 | C BAND | C BAND |
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