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SUP57N20-33_08

产品描述57 A, 200 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小94KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SUP57N20-33_08概述

57 A, 200 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

57 A, 200 V, 0.033 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

SUP57N20-33_08规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压200 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层MATTE 锡 OVER 镍
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流57 A
最大漏极导通电阻0.0330 ohm
最大漏电流脉冲140 A
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