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SGA2263Z

产品描述0 MHz - 5000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
产品类别热门应用    无线/射频/通信   
文件大小672KB,共6页
制造商RF Micro Devices (Qorvo)
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SGA2263Z概述

0 MHz - 5000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

0 MHz - 5000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

SGA2263Z规格参数

参数名称属性值
最大输入功率18 dBm
端子数量6
最小工作频率0.0 MHz
最大工作频率5000 MHz
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
加工封装描述GREEN, SOT-363, 6 PIN
状态Active
微波射频类型WIDE BAND LOW POWER
阻抗特性50 ohm
结构COMPONENT
增益13.2 dB
功能数量1
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_equivalence_codeTSSOP6,.08
wer_supplies__v_2.2
sub_categoryRF/Microwave Amplifiers
最大供电电压23 mA
工艺BIPOLAR

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SGA2263Z
SGA2263Z
DC to 5000MHz, CASCADABLE SiGe HBT
MMIC AMPLIFIER
Package: SOT-363
Product Description
The SGA2263Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darlington con-
figuration featuring one-micron emitters provides high F
T
and excellent thermal per-
formance. The heterojunction increases breakdown voltage and minimizes leakage
current between junctions. Cancellation of emitter junction non-linearities results in
higher suppression of intermodulation products. Only two DC-blocking capacitors, a
bias resistor, and an optional RF choke are required for operation.
Features
High Gain: 13.8dB at
1950MHz
Cascadable 50
Operates from Single Supply
Low Thermal Resistance
Package
PA Driver Amplifier
Cellular, PCS, GSM, UMTS
IF Amplifier
Wireless Data, Satellite
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
Gain (dB)
24
18
12
6
Applications
Gain & Return Loss vs. Freq. @T
L
=+25°C
0
-10
-20
-30
ORL
0
0
1
2
3
Frequency (GHz)
4
5
-40
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
GAIN
IRL
Return Loss (dB)
InGaP HBT
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
RF MEMS
Parameter
Small Signal Gain
Min.
13
Specification
Typ.
14.7
13.5
13.2
7.5
6.1
20.2
18.0
5000
Max.
16.2
Unit
dB
dB
dB
dBm
dBm
dBm
dBm
MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz
1950MHz
850MHz
1950MHz
>10dB
Condition
Output Power at 1dB Compression
Output Third Intercept Point
Bandwidth Determined by Return
Loss
Input Return Loss
17.6
dB
1950MHz
Output Return Loss
25.3
dB
1950MHz
Noise Figure
3.5
dB
1950MHz
Device Operating Voltage
1.9
2.2
2.5
V
Device Operating Current
17
20
23
mA
Thermal Resistance
255
°C/W
junction - lead
Test Conditions: V
S
=5V, I
D
=20mA Typ., OIP
3
Tone Spacing=1MHz, P
OUT
per tone=-10dBm, R
BIAS
=140, T
L
=25°C, Z
S
=Z
L
=50
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS140509
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
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最大输入功率 18 dBm 18 dBm 18 dBm 18 dBm
端子数量 6 6 6 6
最小工作频率 0.0 MHz 0.0 MHz 0.0 MHz 0.0 MHz
最大工作频率 5000 MHz 5000 MHz 5000 MHz 5000 MHz
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel
最大工作温度 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel
加工封装描述 GREEN, SOT-363, 6 PIN GREEN, SOT-363, 6 PIN GREEN, SOT-363, 6 PIN GREEN, SOT-363, 6 PIN
状态 Active Active Active Active
微波射频类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
阻抗特性 50 ohm 50 ohm 50 ohm 50 ohm
结构 COMPONENT COMPONENT COMPONENT COMPONENT
增益 13.2 dB 13.2 dB 13.2 dB 13.2 dB
功能数量 1 1 1 1
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
ckage_equivalence_code TSSOP6,.08 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08
wer_supplies__v_ 2.2 2.2 2.2 2.2
sub_category RF/Microwave Amplifiers RF/Microwave Amplifiers RF/Microwave Amplifiers RF/Microwave Amplifiers
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