RB520S-30: 产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小321KB，共3页; 制造商Chenda; 官网地址http://www.szchenda.com

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RB520S-30概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 硅, 信号二极管

RB520S-30规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	塑料 PACKAGE-2
状态	DISCONTINUED
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	FLAT
端子涂层	锡铅
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
二极管元件材料	硅
二极管类型	信号二极管
最大平均正向电流	0.2000 A

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RB520S-30

Schottky Barrier Diode

FEATURES

Low I

=0.1μA.

High reliability.

Small surface mounting.

Lead-free

APPLICATIONS

Low current rectification.

SOD-523

ORDERING INFORMATION

Type No.

RB520S-30

Marking

Package Code

SOD-523

MAXIMUM RATING

@ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Total device dissipation

Junction and storage temperature

Symbol

FSM

stg

Limits

200

-40 to +125

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

@ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.6

Unit

μA

Conditions

=200mA

=10V

２０１４－０３　０１版

½½½½：／／½½½．½½½½½½½½½½．½½½

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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