512K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32
512K × 8 标准存储器, 45 ns, PDSO32
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 5.5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V |
额定供电电压 | 5 V |
最大存取时间 | 45 ns |
加工封装描述 | 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 1.27 mm |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 8 |
组织 | 512K X 8 |
存储密度 | 4.19E6 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 524288 words |
位数 | 512K |
内存IC类型 | STANDARD SRAM |
串行并行 | PARALLEL |
IS62C5128BL-45QI | IS62C5128BL-45QLI | IS62C5128BL-45TI | IS62C5128BL-45HLI | |
---|---|---|---|---|
描述 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
最大工作温度 | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
额定供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
最大存取时间 | 45 ns | 45 ns | 45 ns | 45 ns |
加工封装描述 | 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32 | 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32 | 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32 | 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32 |
无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
工艺 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes | Yes | Yes | Yes |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子间距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子涂层 | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
组织 | 512K X 8 | 512K X 8 | 512K X 8 | 512K X 8 |
存储密度 | 4.19E6 deg | 4.19E6 deg | 4.19E6 deg | 4.19E6 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
内存IC类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
串行并行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
位数 | 512K | 512K | 512K | 512K |
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