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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC808-40
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BC808-40

产品描述800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB，共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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BC808-40在线购买

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BC808-40概述

800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

800 mA, 25 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB

BC808-40规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)170
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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BC807/BC808
BC807/BC808
Switching and Amplifier Applications
• Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
• Complement to BC817/BC818
3
2
1
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage
: BC807
: BC808
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: BC807
: BC808
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
-45
-25
-5
-800
-310
150
-65 ~ 150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
-50
-30
V
V
Parameter
Value
Units
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC807
: BC808
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC807
: BC808
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Test Condition
I
C
= -10mA, I
B
=0
Min.
-45
-25
I
C
= -0.1mA, V
BE
=0
-50
-30
I
E
= -0.1mA, I
C
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
EB
= -4V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
f=50MHz
V
CB
= -10V, f=1MHz
100
12
100
60
-5
-100
-100
630
-0.7
-1.2
V
V
MHz
pF
V
V
V
nA
nA
Typ.
Max.
Units
V
V
BV
CES
BV
EBO
I
CES
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, August 2002

BC808-40相似产品对比

BC808-40 BC808 BC808-16 BC808-25 BC80816 BC80840 BC80825 BC807
描述 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 符合
Reach Compliance Code unknown compli unknow unknown unknow unknow unknow compli
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 170 60 60 100 60 170 100 60
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
厂商名称 Fairchild Fairchild - Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 e0 e0 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最大功率耗散 (Abs) 0.33 W - 0.33 W 0.33 W 0.33 W 0.33 W 0.33 W -
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
ECCN代码 - EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
包装说明 - - - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

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