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MUR405

产品描述4 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小99KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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MUR405概述

4 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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MUR405
THRU
MUR4100
4.0 AMP HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
* High speed switching
CURRENT
4.0 Amperes
DO-27
.220(5.6)
.197(5.0)
DIA.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 1.10 grams
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
0.945(24.0)
MIN.
.375(9.5)
.285(7.2)
.052(1.3)
.043(1.1)
DIA.
0.945(24.0)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=50 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
MUR405 MUR410 MUR420 MUR430 MUR440 MUR460 MUR480 MUR4100
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
4.0
200
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
uA
nS
pF
C
1.0
1.3
5
200
50
75
-65 +150
1.70
70
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
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