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SB05-03C

产品描述0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SB05-03C概述

0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

SB05-03C规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流5 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.01 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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Ordering number : EN3614A
Schottky Barrier Diode
SB05-03C
30V, 500mA Rectifier
Applications
• Universal-use rectifier.
• High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).
Features
• Low forward voltage (VF max=0.55V).
• Fast reverse recovery time (trr max=10ns).
• Low switching noise
• Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure.
• Small-sized package, permitting applied sets to be compact and slim.
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse
Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
VRRM
VRSM
Io
IFSM
Tj
Tstg
30
35
500
5
–55 to +125
–55 to +125
min
30
typ
unit
V
V
mA
A
°C
°C
max
0.55
30
unit
V
V
µA
pF
ns
°C/W
50Hz sine wave, 1 cycle
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
Marking : Q
VR
VF
IR
C
trr
Rthj-a
IR=150µA
IF=500mA
VR=15V
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=100mA,
See specified Test Circuit.
16
10
560
trr Test Circuit
Package Dimensions
1148A
(unit : mm)
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN
61197GI/N120MH (KOTO) No.3614-1/2
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