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SB05-05

产品描述0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小51KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SB05-05概述

0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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Ordering number :EN1917A
SB05-05CP
Shottky Barrier Diode
50V, 500mA Rectifier
Applications
· High frequency rectification (switching regulators,
converters, choppers).
Package Dimensions
unit:mm
1148
[SB05-05CP]
Features
· Low forward voltage (VF max=0.55V).
· Fast reverse recorvery time (trr max=10ns).
· Low switching noise.
· Low leakage current and high reliability due to
highly reliable planar structure.
C:Cathode
A:Anode
SANYO:CP
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
Tstg
50Hz sine wave, 1cycle
Conditions
Ratings
–50
–55
500
5
–55 to +125
–55 to +125
Unit
V
V
mA
A
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recorvery Time
Thermal Resistance
Symbol
VR
VF
IR
C
trr
Rthj-a(1)
Rthj-a(2)
Mounted on Cu-foild area of
epoxy board
16mm
2
×0.2mm
on glass
IR=–200µA
IF=–500mA
VR=–25V
VR=–10V, f=1MHz
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit
420
330
17
10
Conditions
Ratings
min
–50
0.55
–50
typ
max
Unit
V
V
µA
pF
ns
˚C/W
˚C/W
· Marking:B
trr Test Circuit
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
33098HA (KT)/1239TA/O255KI, TS No.1917-1/2

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描述 0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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