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SB07-03

产品描述0.7 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小52KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SB07-03概述

0.7 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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Ordering number :EN2981A
SB07-03P
Shottky Barrier Diode
30V, 700mA Rectifier
Applications
· High frequency rectification (switching regulators,
converters, choppers).
Package Dimensions
unit:mm
1163A
[SB07-03P]
Features
· Low forward voltage (VF max=0.55V).
· Fast reverse recorvery time (trr max=10ns).
· Low switching noise.
· Low leakage current and high reliability due to
highly reliable planar structure.
1:Anode
2:Cathode
3:No Contact
SANYO:PCP
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
Tstg
50Hz sine wave, 1cycle
Conditions
Ratings
30
35
700
5
–55 to +125
–55 to +125
Unit
V
V
mA
A
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recorvery Time
Thermal Resistance
Symbol
VR
VF
IR
C
trr
Rthj-a(1)
Rthj-a(2)
Mounted on
250mm
2
×0.8mm
ceramic board
Conditions
IR=300µA
IF=700mA
VR=15V
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit
Ratings
min
30
0.55
80
26
10
310
120
typ
max
Unit
V
V
µA
pF
ns
˚C/W
˚C/W
· Marking:SD
ttr Test Circuit
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
33098HA (KT)/D288TA, TS No.2981-1/2

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