SST32HF802-90-4E-L3KE,SST32HF802-90-4E-L3KE pdf中文资料,SST32HF802-90-4E-L3KE引脚图,SST32HF802-90-4E-L3KE电路-Datasheet-电子工程世界

SST32HF802-90-4E-L3KE: 产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 512KX16, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小370KB，共30页; 制造商SST; 官网地址http://www.ssti.com

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SST32HF802-90-4E-L3KE概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 512KX16, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-48

参数名称	属性值
Objectid	1976916833
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA48,6X8,32
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
其他特性	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	8 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-20 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.00004 A
最大压摆率	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	6 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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