38 A, 100 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
38 A, 100 V, 0.065 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-204AE
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 2 |
最小击穿电压 | 100 V |
加工封装描述 | HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 圆 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | PIN/PEG |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | 金属 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 38 A |
额定雪崩能量 | 150 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0650 ohm |
最大漏电流脉冲 | 152 A |
IHF153 | IRF150 | IRF152 | IHF151 | |
---|---|---|---|---|
描述 | 38 A, 100 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | 27A, 100V, 0.081ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | 30A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-240AE, TO-204AE, 2 PIN | 38 A, 100 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
端子数量 | 2 | 3 | 2 | 2 |
端子形式 | PIN/PEG | NO LEAD | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
晶体管元件材料 | 硅 | SILICON | SILICON | 硅 |
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