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1N5809URS

产品描述6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小140KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5809URS概述

6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

6 A, 硅, 整流二极管

1N5809URS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MELF
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED
ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
Qualified per MIL-PRF-19500/477
DEVICES
LEVELS
Leaded
Surface Mount
1N5807
1N5807US
1N5807URS
1N5809
1N5809US
1N5809URS
1N5811
1N5811US
1N5811URS
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
DESCRIPTION
This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is military qualified to MIL-PRF-19500/477 and
is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. These industry-
recognized 6.0 Amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 50 to 150 volts are
hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category I” metallurgical
bond. These devices are available in both leaded and surface mount MELF package
configurations. Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and
lower current ratings with various recovery time speed requirements including standard, fast and
ultrafast device types in both through-hole and surface mount packages.
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI’s
website:
http://www.microsemi.com
B-Body
Leaded Package
FEATURES
Popular JEDEC registered 1N5807, 1N5809, 1N5811
Voidless hermetically sealed glass package
Extremely robust construction
Internal “Category
I”
Metallurgical bonds
JAN, JANTX, JANTXV, and JANS available per MIL-PRF-19500/477
Surface mount versions available in a square end-cap MELF configuration with “US”
suffix
B-Body
Surface Mount
MELF PACKAGE
T4-LDS-0168 Rev. 2 (111089)
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1N5809URS相似产品对比

1N5809URS 1N5811URS JANS1N5811US 1N5807URS
描述 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 MELF MELF MELF MELF
包装说明 HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 O-LELF-R2 HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow not_compliant unknow
其他特性 HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 100 V 150 V 150 V 50 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END END
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
最大正向电压 (VF) 0.8 V 0.8 V - 0.8 V
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