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MUR160

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小72KB,共3页
制造商YFWDIODE
官网地址http://www.yfwdiode.com/
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MUR160概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41

MUR160规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述PLASTIC PACKAGE-2
状态TRANSFERRED
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大0.0600 us
最大重复峰值反向电压600 V
最大平均正向电流1 A

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MUR105
THRU
MUR1100
Features
High Surge Capability
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
Super Fast Switching Speed For High Efficiency
Maximum Ratings
Operating Temperature: -50°C to +150°C
Storage Temperature: -50°C to +150°C
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
105V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
1 Amp Super Fast
Recovery Rectifier
50 to 1000 Volts
DO-41
Part Number
MUR105
MUR110
MUR115
MUR120
MUR140
MUR160
MUR180
MUR1100
D
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1A
T
A
= 55°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
35A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
I
FM
= 1.0A;
V
F
.975V
MUR105-115
1.35V
MUR120-160
T
A
= 25°C
1.75V
MUR180-1100
Maximum DC
I
R
Reverse Current At
5μA
T
A
= 25°C
Rated DC Blocking
50μA
T
A
= 150°C
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
MUR105-120
T
rr
45ns
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
MUR140-160
60ns
I
rr
=0.25A
MUR180-1100
75ns
Measured at
Typical Junction
20pF
C
J
1.0MHz, V
R
=4.0V
Capacitance
*Pulse Test: Pulse Width 300μsec, Duty Cycle 1%
A
Cathode
Mark
B
D
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE

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