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SB160-05H

产品描述16 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SB160-05H概述

16 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SB160-05H规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
零件包装代码TO-3PB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流140 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最大输出电流16 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流800 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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Ordering number :EN1982A
SB160-05H
Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common)
50V, 16A Rectifier
Applications
· High frequency rectification (switching regulators,
converters, choppers).
Package Dimensions
unit:mm
1160
[SB160-05H]
Features
· Low forward voltage (VF max=0.55V).
· Fast reverse recovery time (trr max=75ns).
· Low switching noise.
· Low leakage current and high reliability due to
highly reliable planar structure.
C:Cathode
A:Anode
SANYO:TO-3PB
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
Tstg
Conditions
Ratings
–50
–55
Unit
V
V
A
A
50Hz, resistive load, Tc=108˚C
50Hz sine wave, 1 cycle
16
140
–55 to +125
–55 to +125
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
Symbol
VR
VF
IR
trr
Rthj-c
Conditions
Ratings
min
–50
0.55
–0.8
75
1.3
typ
max
Unit
V
V
mA
ns
IR=–4mA, Tj=25˚C*
IF=8A, Tj=25˚C*
VR=–25V, Tj=25˚C*
IF=2A, Tj=25˚C*, –dIF/dt=10A/µs
Junction-Case:Smoothed DC
˚C/W
Note)*:Value per element
Electrical Connection
A:Anode
C:Cathode
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
33098HA (KT)/4198TA, TS No.1982-1/3

 
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