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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RS2D
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RS2D

产品描述1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小93KB，共2页
制造商YFWDIODE
官网地址http://www.yfwdiode.com/
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RS2D概述

1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

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(RS2A~RS2M) SMB
Fast Recovery rectifiers
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
2.0 A
V
RRM
50 V to 1000 V
I
FSM
60 A
t
rr
150nS, 250nS, 500nS
V
F
1.3 V
T
j
max.
150 °C
Features
Low profile package
Ideal for automated placement
Glass passivated chip junction
Fast switching for high efficiency
High forward surage capability
High temperatrue soldering
260
/10 seconds at terminals
Component in accordance to
RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC
Mechanical Date
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
over glass passivated chip
Terminals: Solder plated, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
Polarity: Laser band denotes cathode end
Maximum Ratings & Thermal Characteristics & Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Symbol (RS2A) (RS2B) (RS2D) (RS2G) (RS2J) (RS2K) (RS2M) UNIT
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum instantaneous forwad voltage at 2.0A
Maximum DC reverse current
at Rated DC blocking voltage
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
JA
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2
60
1.3
5.0
50
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
μA
T
A
= 25
T
A
= 125
Maximum reverse recovery time
at I
F
= 0.5 A , I
R
= 1.0 A , I
rr
= 0.25 A
Typical junction capacitance at 4.0 V ,1MHz
Thermal resistance from junction to ambient
Operating junction and storage
temperature range
150
15
76
250
500
11
nS
pF
/W
T
J
,T
STG
–55 to +150

RS2D相似产品对比

RS2D RS2A-SMB RS2B RS2M RS2G
描述 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
端子数量 - 2 2 2 -
元件数量 - 1 1 1 -
状态 - DISCONTINUED DISCONTINUED ACTIVE -
包装形状 - 矩形的 矩形的 矩形的 -
包装尺寸 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
表面贴装 - Yes Yes Yes -
端子形式 - C BEND C BEND C BEND -
端子涂层 - 锡 铅 锡 铅 PURE 锡 -
端子位置 - 双 双 双 -
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 -
结构 - 单一的 单一的 单一的 -
二极管元件材料 - 硅 硅 硅 -
二极管类型 - 整流二极管 整流二极管 整流二极管 -
应用 - EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY -
相数 - 1 1 1 -
反向恢复时间最大 - 0.1500 us 0.1500 us 0.5000 us -
最大重复峰值反向电压 - 100 V 100 V 1000 V -
最大平均正向电流 - 1.5 A 1.5 A 2 A -
最大非重复峰值正向电流 - 50 A 50 A 50 A -

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