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12N60

产品描述Drain Current –ID= 12A@ TC=25C
文件大小131KB,共2页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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12N60概述

Drain Current –ID= 12A@ TC=25C

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INCHANGE Semiconductor
isc
Product Specification
isc N-Channel Mosfet Transistor
12N60
·
FEATURES
·Drain
Current –I
D
= 12A@ T
C
=25℃
·Drain
Source Voltage-
: V
DSS
= 600V (Min)
·Static
Drain-Source On-Resistance
: R
DS(on)
= 0.7Ω(Max)
·Avalanche
Energy Specified
·Fast
Switching
·Simple
Drive Requirements
·
DESCRITION
·Designed
for high efficiency switch mode power supply.
·
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
SYMBOL
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
T
j
T
stg
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage-Continuous
Drain Current-Continuous
Drain Current-Single Plused
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
VALUE
600
±30
12
48
150
-55~150
UNIT
V
V
A
A
·
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
R
th j-a
PARAMETER
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
MAX
0.8
62.5
UNIT
℃/W
℃/W
isc website:
www.iscsemi.com
1
isc
&
iscsemi
is registered trademark
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