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MT8KTF25664HZ-1G6M1

产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, SODIMM-204
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文件大小360KB,共17页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT8KTF25664HZ-1G6M1概述

DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, SODIMM-204

MT8KTF25664HZ-1G6M1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1356697806
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM, DIMM204,24
针数204
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N204
JESD-609代码e4
长度67.6 mm
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量204
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM204,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.35 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度30.15 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.096 A
最大压摆率1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置ZIG-ZAG
宽度3.8 mm

MT8KTF25664HZ-1G6M1相似产品对比

MT8KTF25664HZ-1G6M1 MT8KTF25664HZ-1G4M1
描述 DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, SODIMM-204
是否Rohs认证 符合 符合
Objectid 1356697806 8154148739
包装说明 DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK) 800 MHz 667 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XZMA-N204 R-XZMA-N204
长度 67.6 mm 67.6 mm
内存密度 17179869184 bit 17179869184 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 204 204
字数 268435456 words 268435456 words
字数代码 256000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 256MX64 256MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM204,24 DIMM204,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 1.35 V 1.35 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
座面最大高度 30.15 mm 30.15 mm
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.096 A 0.096 A
最大压摆率 1.76 mA 1.64 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V 1.35 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG
宽度 3.8 mm 3.8 mm
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