MT16JTF25664HIZ-1G1XX,MT16JTF25664HIZ-1G1XX pdf中文资料,MT16JTF25664HIZ-1G1XX引脚图,MT16JTF25664HIZ-1G1XX电路-Datasheet-电子工程世界

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MT16JTF25664HIZ-1G1XX: 产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, MO-268, SODIMM-204; 产品类别存储存储; 文件大小376KB，共17页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT16JTF25664HIZ-1G1XX概述

DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, MO-268, SODIMM-204

MT16JTF25664HIZ-1G1XX规格参数

参数名称	属性值
Objectid	1101479200
零件包装代码	SODIMM
包装说明	DIMM,
针数	204
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N204
JESD-609代码	e4
长度	67.6 mm
内存密度	17179869184 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	204
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度	30.15 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG

MT16JTF25664HIZ-1G1XX相似产品对比

	MT16JTF25664HIZ-1G1XX	MT16JTF25664HIZ-1G4XX	MT16JTF25664HIZ-1G6XX	MT16JTF51264HIZ-1G4XX
描述	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, MO-268, SODIMM-204	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, MO-268, SODIMM-204	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, MO-268, SODIMM-204	DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, HALOGEN FREE, MO-268, SODIMM-204
零件包装代码	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	204	204	204	204
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4
长度	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm
内存密度	17179869184 bit	17179869184 bit	17179869184 bi	34359738368 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	204	204	204	204
字数	268435456 words	268435456 words	268435456 words	536870912 words
字数代码	256000000	256000000	256000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256MX64	256MX64	256MX64	512MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度	30.15 mm	30.15 mm	30.15 mm	30.15 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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