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SB25W05T

产品描述2.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SB25W05T概述

2.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SB25W05T规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
Objectid1823086003
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
compound_id5713091
其他特性HIGH RELIABILITY
应用HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最大输出电流2.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.02 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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Ordering number:EN4860
SB25W05T
Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common)
50V, 2.5A Rectifier
Applications
· High frequency rectification (switching regulators,
converters, choppers).
Package Dimensions
unit:mm
1254A
[SB25W05T]
Features
· Low forward voltage (VF max=0.55V).
· Fast reverse recovery time (trr max=20ns).
· Low switching noise.
· Low leakage current and high reliability due to
highly reliable planar structure.
trr Test Circuit
SANYO:TP
1:Anode
2:Cathode
3:Anode
4:Cathode
unit:mm
1257A
[SB25W05T]
Electrical Connection
1:Anode
2:Cathode
3:Anode
4:Cathode
SANYO:TP-FA
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C (Value per element)
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IO
IFSM
Tj
Tstg
50Hz resistive load, Tc=117˚C
50Hz resistive load, Tc=106˚C, Total rating
50Hz sine wave, 1 cycle
Conditions
Ratings
50
55
2.5
5
25
–55 to +125
–55 to +125
Unit
V
V
A
A
A
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C (Value per element)
Parameter
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance (Junction-Ambient)
Thermal Resistance (Junction-Case)
Symbol
VR
VF
IR
C
trr
Rth(j-a)
Rth(j-c)
IR=1mA
IF=2.5A
VR=25V
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=300mA, See specified Test Circuit.
90
5
120
20
Conditons
Ratings
min
50
0.55
200
typ
max
Unit
V
V
µA
pF
ns
˚C/W
˚C/W
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
41098HA (KT)/70194MO (KOTO) BX-1836 No.4860-1/3

 
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