电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SB330

产品描述3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小13KB,共1页
制造商SSE
官网地址http://www.sse-diode.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SB330在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SB330 - - 点击查看 点击购买

SB330概述

3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

SB330规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压30 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流80 A

文档预览

下载PDF文档
SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD.
SB320 THRU SB360
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIER
VOLTAGE: 20 TO 60V CURRENT: 3.0A
FEATURES
• Epitaxial construction for chip
• High current capability
• Low forward voltage drop
• Low power loss, high efficiency
• High surge capability
• High temperature soldering guaranteed:
250
o
C/10sec/0.375"(9.5mm) lead length
at 5 lbs tension
TECHNICAL
SPECIFICATION
DO - 201AD
MECHANICAL DATA
• Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
• Case: Molded with UL-94 Class V-O
recognized flame retardant epoxy
• Polarity: Color band denotes cathode
• Mounting position: Any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25
o
C, unless otherwise stated, for capacitive
load, derate current by 20%)
RATINGS
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
(9.5mm lead length at T
L
=95
o
C)
Peak Forward Surge Current (8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load)
Maximum Forward Voltage (at 3.0A DC)
Maximum DC Reverse Current
T
a
=25
o
C
at rated DC blocking voltage
T
a
=100
o
C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
SB
320
20
14
20
SB
330
30
21
30
SB
340
40
28
40
3.0
80
SB
350
50
35
50
SB
360
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
A
0.55
3.0
30
0.75
V
mA
mA
220
C
J
Typical Junction Capacitance
(Note 1)
pF
o
30
R
θ
(ja)
Typical Thermal Resistance
(Note 2)
C/W
o
-65 to +125
-65 to +150
T
J
Operating Temperature
C
o
-65 to +150
T
STG
Storage Temperature
C
Note:
1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V
dc
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5mm) lead length, vertical P.C. board mounted
http://www.sse-diode.com

SB330相似产品对比

SB330 SB360 SB350 SB340 SB320
描述 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE POWER CONNECTOR 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
mspf425中sd16通道问题???
sd 16有三个外接的通道 channel0,channel1,channel2, 的寄存器SD16INCTL0,SD16INCTL1,SD16INCTL2是不是任何一个寄存器都可以选择这三个通道。还是每个寄存器只能选择其中一个通道。如果是任 ......
河马 微控制器 MCU
[RTT&瑞萨高性能 CPK-RA6M4] 6、软件模拟I2C驱动PCF8574评测
一、硬件部分 1、pcf8574说明 手头有块pcf8574的IO扩展板,原来是用来驱动1602的,无奈发现1602坏了,点不亮了。就只能拿pcf8574测端口IO了。 614417某宝上采购的614418原理图 6144 ......
kit7828 瑞萨MCU/MPU
LPC1768资料大放送
424372424374 424375 424376 424377 424378 424379 424381 424382 424383 424384 424385 424386 424387 424388 424389 424390 424391 ......
cxmdz NXP MCU
XMC4700 Relax 5V shield 评测4
本帖最后由 freebsder 于 2018-1-27 03:48 编辑 342988 此内容由EEWORLD论坛网友freebsder原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处 ...
freebsder 单片机
FPGA和DSP间基于SRIO的高速通信系统设计
摘要: 现代信号处理系统通常需要在不同处理器之间实现高速数据通信,SRIO协议由于高效率、低延时的特性被广泛使用。本文研究了在FPGA和DSP两种处理器之间实现SRIO协议的方法,并通过电路设计 ......
灞波儿奔 DSP 与 ARM 处理器
桥式整流后的滤波电容取值
各位老师,桥式整流电路的滤波电容怎样选择? 桥式整流后的滤波电容计算,往往需要首先设定一个时间常数,请教这个时间常数依据什么来取值呢? ...
Aguilera 电源技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 29  743  1468  1771  2299  1  15  30  36  47 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved