电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SB580

产品描述5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小55KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
下载文档 选型对比 全文预览

SB580在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SB580 - - 点击查看 点击购买

SB580概述

5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

文档预览

下载PDF文档
SB570 - SB5100
5.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
·
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability
Surge Overload Rating to 150A Peak
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
A
B
A
D
C
DO-201AD
Dim
Min
25.40
7.20
1.20
4.80
Max
¾
9.50
1.30
5.30
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 1.1 grams (approx.)
Marking: Type Number
A
B
C
D
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@ T
L
= 80°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
@ I
F
= 5.0A
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
(Note 1)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
qJA
T
j,
T
STG
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
SB570
70
49
SB580
80
56
5.0
150
0.80
0.5
50
400
10
SB590
90
63
SB5100
100
70
Unit
V
V
A
A
V
mA
pF
K/W
°C
-65 to +150
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
DS30135 Rev. 4 -2
1 of 2
SB570 - SB5100

SB580相似产品对比

SB580 SB590
描述 5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
【米尔边缘AI计算盒FZ5测评】2019DAC大会目标检测网络skynet复现
利用FPGA进行深度学习加速,目前已经推出了很多优秀的项目,比如xilinx官方的BNN和QNN开源项目等。同时自动化设计顶级会议(Design Automation Conference, DAC)每年都会主办低功耗目标检测系统 ......
zzx1997 嵌入式系统
有关同步问题
请教各位一个问题 问题背景:一个接收端一个发送端 接收端想要接收一段发送端发送来的数据,(由于发送端不知道什么时间发数据)可以这样去做,一直接收数据就能达到效果。但问题是一直接收发 ......
24432972 无线连接
MSP430时钟问题
请教个问题,我在调试MSP430F2013和MSP430G2452时,配16M时钟后(BCSCTL1 = CALBC1_8MHZ; ), 芯片就不能再下载程序了,出现找不到器件, 配8M, 1M时都不会出这样的文题。...
faithme 微控制器 MCU
MPS430g2553用开关控制LED灯闪烁
#include int main( void ) { // Stop watchdog timer to prevent time out reset WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; P1DIR |= BIT6+BIT0; //P1。6,P1.0为输出 P1OUT &=~ BIT ......
曲尽,莫分離 微控制器 MCU
【Silicon Labs BG22-EK4108A 蓝牙开发评测】开箱
BG22-EK4108ABG22 蓝牙 SoC Explorer 套件开箱 BG22 Explorer 套件是一款超低成本的小封装开发与评估平台,专注于蓝牙 LE 物联网应用的快速原型设计和概念创建。 该套件有一个 USB 接口、 ......
darkblue086 Silicon Labs测评专区

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 325  116  808  1133  2435  50  56  12  35  40 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved