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SB60-05H

产品描述6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小71KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SB60-05H概述

6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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Ordering number:EN1979B
SB60-05H
Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common)
50V, 6A Rectifier
Applications
· High frequency rectification (switching regulators,
converters, choppers).
Package Dimensions
unit:mm
1159B
[SB60-05H]
Features
· Low forward voltage (VF max=0.55V).
· Fast reverse recovery time (trr max=50ns).
· Low switching noise.
· Low leakage current and high reliability due to
highly reliable planar structure.
1:Anode
2:Cathode
3:Anode
JEDEC:TO-220AB
EIAJ:SC-46
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
Tstg
Conditions
Ratings
50
55
Unit
V
V
A
A
50Hz, resistive load, Tc=110˚C
50Hz sine wave, 1 cycle
6
100
–55 to +125
–55 to +125
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance (Junction-Case)
Symbol
VR
VF
IR
trr
Rthj-c
Conditons
IR=1.5mA, Tj=25˚C, *
IF=3A, Tj=25˚C, *
VR=25V, Tj=25˚C, *
IF=2A, Tj=25˚C, *, –dIF/dt=10A/µs
Junction-Case:Smoothed DC
Ratings
min
50
0.55
0.3
50
3
typ
max
Unit
V
V
mA
ns
˚C/W
Note)*:Value per element
Electrical Connection
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
41098HA (KT)/40195MO/4198TA, TS 8-8083 No.1979-1/3

SB60-05H相似产品对比

SB60-05H SB60-05
描述 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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