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SB603

产品描述6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小102KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SB603概述

6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

SB603规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codeunknow
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流6 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

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SB6, SBT6 SERIES
Single Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers
Voltage Range
50 to 1000 Volts
Current
6.0 Amperes
SBT-6
SB-6
Features
UL Recognized File # E-96005
Surge overload rating 200 amperes peak
Low forward voltage drop
High temperature soldering guaranteed:
260℃ / 10 seconds / 0.375” ( 9.5mm )
lead length at 5 lbs., ( 2.3 kg ) tension
Small size, simple installation
Leads solderable per MIL-STD-202
Method 208
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
@T
A
= 50℃
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 3.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25℃
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=100℃
SB601 SB602 SB603 SB604 SB605 SB606 SB607
Units
Symbol
SBT
601
SBT
602
SBT
603
SBT
604
SBT
605
SBT
606
SBT
607
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
6.0
200
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
uA
℃/W
10
500
22
Typical Thermal Resistance (Note 1)
R
θ
JA
7.3
(Note 2)
R
θ
JC
Operating Temperature Range
T
J
-55 to +125
Storage Temperature Range
T
STG
-55 to +150
Note: 1. Unit Mounted on P.C.B. at 0.375” (9.5mm) Lead Length with 0.5 x 0.5” (12 x 12mm)
Copper Pads.
- 600 -
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