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RURD4120S_F085

产品描述4 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小477KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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RURD4120S_F085概述

4 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252

4 A, 1200 V, 硅, 整流二极管, TO-252

RURD4120S_F085规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
工艺AVALANCHE
结构SINGLE
壳体连接CATHODE
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限50 W
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
相数1
反向恢复时间最大0.0900 us
最大重复峰值反向电压1200 V
最大平均正向电流4 A
最大非重复峰值正向电流40 A

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RURD4120S9A_F085
Data Sheet
March 2009
4A, 1200V Ultrafast Diodes
The RURD4120S9A_F085 are ultrafast diodes with
soft recovery characteristics (t
rr
< 70ns). They have low
forward voltage drop and are silicon nitride passivated
ion-implanted epitaxial planar construction.
These devices are intended for use as freewheeling/
clamping diodes and rectifiers in a variety of switching power
supplies and other power switching applications. Their low
stored charge and ultrafast soft recovery minimize ringing
and electrical noise in many power switching circuits
reducing power loss in the switching transistors.
Formerly developmental type TA49036.
Features
• Ultrafast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . <70ns
• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
o
C
• Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
• Avalanche Energy Rated
• Planar Construction
Qualified to ACE Q101
RoHS Compliant
Applications
• Switching Power Supplies
• Power Switching Circuits
• General Purpose
Ordering Information
PART NUMBER
RURD4120S9A_F085
9A_F085
PACKAGE
TO-252
BRAND
UR4120
Packaging
JEDEC STYLE TO-252
Symbol
K
CATHODE
ANODE
CATHODE
(FLANGE)
A
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
RURD4120S9A_F085
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
Peak Repetitive Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
RRM
Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
RWM
DC Blocking Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
R
Average Rectified Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
F(AV)
(T
C
= 152
o
C)
Repetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
FRM
(Square Wave, 20kHz)
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
FSM
(Halfwave, 1 Phase, 60Hz)
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
Avalanche Energy (See Figures 10 and 11). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
AVL
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
STG
, T
J
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
1
1200
1200
1200
4
8
40
50
10
-65 to 175
RURD4120S9A_F085 Rev.
A

RURD4120S_F085相似产品对比

RURD4120S_F085 RURD4120S9A_F085
描述 4 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252 4 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252
端子数量 2 2
元件数量 1 1
表面贴装 Yes YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY
相数 1 1
最大重复峰值反向电压 1200 V 1200 V
最大非重复峰值正向电流 40 A 40 A
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