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GBJ1504

产品描述3.2 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小337KB,共2页
制造商YFWDIODE
官网地址http://www.yfwdiode.com/
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GBJ1504概述

3.2 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBJ15005 THRU GBJ1510
GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
REVERSE VOLTAGE:
FORWARD CURRENT:
FEATURES
· Glass passivated chip junction
· Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique
· Ideal for printed circuit board
· Low forward voltage drop
· Low reverse leakage current
· High surge current capability
50 to 1000 VOLTS
15.0 AMPERE
GBJ
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic, GBJ
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.23ounce, 6.6gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60H
Z
, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
GBJ15005 GBJ1501
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
with Heatsink at T
C
=100
Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Element
at 7.5A DC and 25
Maximum Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
at T
A
=25
T
A
=125
I
R
C
J
R
T
J
JC
GBJ1502
GBJ1504
GBJ1506
GBJ1508
GBJ1510
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
15.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
200
Amp
V
F
1.05
10.0
500
60
0.8
-55 to +150
Volts
uAmp
pF
/W
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Tstg
NOTES:
1- Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2- Thermal Resistance fromn Junction to Case with Device Mounted on 300mm x 300mm x 1.6mmCu Plate Heatsink.

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