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SBL1060

产品描述10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小233KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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SBL1060概述

10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

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MCC
Features
Low Power Loss
High Efficiency
Low Forward Voltage
High surge capacity
High Current Capability
SBL1020
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
THRU
SBL10100
10 Amp
Schottky

Barrier Rectifier
20 to 100 Volts
Maximum Ratings
Operating Junction Temperature: -50°C to +125°C
Storage Temperature: -50°C to +125°C
Typical Thermal Resistance
60°C/W
Junction to Ambient
MCC
Catalog
Number
SBL1020
SBL1030
SBL1040
SBL1050
SBL1060
SBL1080
SBL10100
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
SBL1020
20V
SBL1030
30V
SBL1040
40V
SBL1050
50V
SBL1060
60V
SBL1080
80V
SBL10100
100V
I
F(AV)
I
FSM
Maximum
RMS
Voltage
14V
21V
26V
35V
42V
56V
80V
10 A
150A
Maximum
DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
C
K
TO-220AC
B
L
M
D
A
PIN
1
2
E
F
G
I
H
J
N
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
1020-1040
1050-1060
1080-10100
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
T
C
= 100°C
8.3ms, half sine


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
PIN 1
PIN 2
CASE

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
 
V
F
.55V
.75V
.85V
T
J
= 25°C
I
FM
= 10A;
I
R
0.5mA
50mA
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
INCHES



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
www.mccsemi.com

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描述 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

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