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1N5394

产品描述1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小68KB,共3页
制造商YFWDIODE
官网地址http://www.yfwdiode.com/
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1N5394概述

1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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1N5391
THRU
1N5399
Features
Low Current Leakage
Low Forward Voltage
High Current Capability
Low Cost
1.5 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-15
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance; 26°C/W Junction To Lead
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
1000V
Catalog
Number
D
1N5391
1N5392
1N5393
1N5394
1N5395
1N5396
1N5397
1N5398
1N5399
---
---
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
210V
280V
350V
420V
560V
700V
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1.5A
T
A
= 70°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
50A
8.3ms, half sine**
Current
Maximum
1.1V
I
FM
= 1.5A;
Instantaneous
V
F
Forward Voltage
T
J
= 25°C*
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5.0μA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
50μA
T
J
= 100°C
Voltage
Typical Junction
C
J
20pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
μsec,
Duty cycle 1%
**8.3ms single half-wave superimposed on rated load(JEDEC method)
at Ta=75 deg C.
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.230
.104
.026
1.000
MM
MIN
5.80
2.60
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.300
.140
.034
---
MAX
7.60
3.60
.90
---
NOTE

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