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CSD18502KCS

产品描述40-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 3-TO-220 -55 to 150
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小753KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

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CSD18502KCS概述

40-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 3-TO-220 -55 to 150

CSD18502KCS规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明PACKAGE-3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)330 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)100 A
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.0043 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)26 pF
JEDEC-95代码TO-220
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)216 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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