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1N4934

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小166KB,共2页
制造商上海商朗电子
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1N4934概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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CE
CHENYI ELECTRONICS
1N4933 THRU 1N4937
FAST RECOVERY RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts
Forward Current - 1.0Amperes
FEATURES
. Plastic package has Underwrites Laboratory
Flammability Classification 94V-0
. Fast switching speed
. Construction utilizes void-free molded plastic technique
. 1.0A operation at
T
A
=75
with to terminal runaway
/10 seconds,
. High temperature soldering guaranteed: 250
0.375"(9.5mm)lead length,5lbs.(2.3kg)tension
MECHANICAL DATA
.
Case:
JEDEC DO-41 molded plastic body
.
Terminals:
lead solderable per MIL-STD-750,method 2026
.
Polarity:
Color band denotes cathode end
.
Mounting Position:
Any
.
Weight
: 0.012 ounce, 0.34 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified,Single phase,half wave 60Hz,resistive or inductive)
load. For capacitive load,derate current by 20%)
Symbols
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Macimum average forward rectified
current 0.375"(9.5mm)lead length at
T
A
=75
Peak forward surge current 8.3ms
sing-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
T
A
=75
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0 A
Maximum DC Rreverse Current at rated DC
blocking voltage
Maximum full load reverse current full cycle
average. 0.375"(9.5mm)lead length at
TL=55
Maximum reverse recovery time(Note 1)
Typical junction Capacitance(Note 2)
Trr
I
R
V
F
I
FSM
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
1N4933 1N4934
50
35
50
100
70
100
1N4935 1N4936 1N4937
200
140
200
1.0
400
280
400
600
420
600
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
30.0
Amps
1.3
Volts
5.0
A
100
200.0
15.0
ns
pF
C
J
T
J
T
STG
Operating and storage temperature range
-65 to +150
Notes:
1.Test conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A.
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V Volts
Copyright @ 2000 SHANGHAI CHENYI ELECTRONICS CO.,LTD
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