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1N5230B-G

产品描述4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共4页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
标准
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1N5230B-G概述

4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N5230B-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗19 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压4.7 V
表面贴装NO
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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Axial Leaded Glass Zener Diode
Comchip
SMD Diode Specialist
1N5221B-G Thru. 1N5267B-G
Voltage: 2.4 to 75 Volts
Power: 0.5 Watts
RoHS Device
Features
-500mW power dissipation
-Stabilizing voltage.
1.02(26.00) Min.
DO-35
Mechanical data
-Case: Glass, DO-35
-Polarity: Indicated by cathode band
0.079(2.00)Max.
0.165(4.20)Max.
1.02(26.00) Min.
0.022(0.55)Max.
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum Ratings
(T
A
=25°C, unless otherwise noted)
Parameter
Power dissipation
Zener current
Junction temperature
Storage temperature range
Conditions
T
L
=25°C
Symbol
P
tot
I
Z
T
J
T
STG
Value
500
P
tot
/V
Z
175
-65 to +175
Unit
mW
mA
°C
°C
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C, unless otherwise noted)
Parameter
Thermal resistance (Note 1)
Forward voltage
Conditions
junction to ambient air
L=4mm, T
L
=25°C
I
F
=200mA
Symbol
R
θJA
V
F
Max
300
1.1
Unit
°C/W
V
Note:
Based on dc-measurement at thermal equilibrium; lead length = 9.5 (3/8”); thermal resistance of heat sink =30°C/W
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.
QW-BZ001
REV: C
Page 1
Comchip Technology CO., LTD.
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