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BUP602D

产品描述IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小102KB,共9页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUP602D概述

IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)

BUP602D规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)36 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)680 ns
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)110 ns
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)330 ns
标称断开时间 (toff)250 ns
最大开启时间(吨)60 ns
标称接通时间 (ton)40 ns
VCEsat-Max2.7 V

BUP602D相似产品对比

BUP602D Q67040-A4229-A2
描述 IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode) IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)

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