Isolated IGBT/Power MOSFET gate drive
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | DIP-16 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Mi | 55 V |
配置 | SEPARATE, 4 CHANNELS |
当前传输比率-最小值 | 50% |
标称电流传输比 | 50% |
最大暗电源 | 100 nA |
最大正向电流 | 0.025 A |
最大正向电压 | 1.3 V |
最大绝缘电压 | 2500 V |
元件数量 | 4 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -25 °C |
光电设备类型 | TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
最大功率耗散 | 0.15 W |
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