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CSD17313Q2Q1

产品描述Automotive 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小402KB,共13页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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CSD17313Q2Q1概述

Automotive 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150

CSD17313Q2Q1规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明WSON-6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionTEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2Q1 . - MOSFET, N-CH, 30V, 5A, 6SON
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)18 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.042 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)17 pF
JESD-30 代码S-PDSO-N6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)17 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)57 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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