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MT5LC2565-35XT

产品描述Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP28
产品类别存储    存储   
文件大小373KB,共8页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT5LC2565-35XT概述

Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP28

MT5LC2565-35XT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1435262148
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量28
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0003 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

MT5LC2565-35XT相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 35 ns 12 ns 15 ns 15 ns 15 ns 15 ns 20 ns 35 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bi 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 85 °C 125 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C - - -40 °C -40 °C -55 °C -55 °C -40 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0003 A 0.003 A 0.003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.04 mA 0.125 mA 0.11 mA 0.055 mA 0.055 mA 0.055 mA 0.05 mA 0.04 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL MILITARY MILITARY INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Objectid 1435262148 - 1435262082 1435262062 1435262069 1435262076 1435262100 1435262142
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