Page Mode DRAM, 256KX1, 200ns, MOS, PZIP16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1156939993 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PZIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | ZIP |
| 封装等效代码 | ZIP16,.1 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | ZIG-ZAG |
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