20000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
20000 MHz - 40000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | MACOM |
包装说明 | DIE OR CHIP |
Reach Compliance Code | compli |
其他特性 | LOW NOISE |
构造 | COMPONENT |
增益 | 12 dB |
最大输入功率 (CW) | 12 dBm |
JESD-609代码 | e3 |
功能数量 | 1 |
最大工作频率 | 40000 MHz |
最小工作频率 | 20000 MHz |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装等效代码 | DIE OR CHIP |
电源 | 5 V |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND LOW POWER |
最大压摆率 | 50 mA |
技术 | GAAS |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
XL1000-BD-000V | XL1000-BD | XL1000-BD_15 | XL1000-BD-EV1 | |
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描述 | 20000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER | 20000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER | 20000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER | 20000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
最大工作频率 | 40000 MHz | 40000 MHz | 40000 MHz | 40000 MHz |
最小工作频率 | 20000 MHz | 20000 MHz | 20000 MHz | 20000 MHz |
最大工作温度 | - | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel |
最小工作温度 | - | -55 Cel | -55 Cel | -55 Cel |
最大输入功率 | - | 12 dBm | 12 dBm | 12 dBm |
加工封装描述 | - | ROHS COMPLIANT, DIE-4 | ROHS COMPLIANT, DIE-4 | ROHS COMPLIANT, DIE-4 |
无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | - | Yes | Yes | Yes |
状态 | - | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
结构 | - | COMPONENT | COMPONENT | COMPONENT |
端子涂层 | - | MATTE 锡 OVER 铜 | MATTE 锡 OVER 铜 | MATTE 锡 OVER 铜 |
微波射频类型 | - | WIDE 波段 低 POWER | WIDE 波段 低 POWER | WIDE 波段 低 POWER |
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