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1N5822

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小230KB,共2页
制造商SHUNYE
官网地址http://www.shunyegroup.com.cn/
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1N5822概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201

3 A, 40 V, 硅, 整流二极管, DO-201

1N5822规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压40 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流150 A

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1N5820 THRU 1N5822
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage -
20 to 40 Volts
DO-201AD
Forward Current -
3.0 Amperes
FEATURES
1.0 (25.4)
MIN.
0.210(5.3)
0.190 (4.8)
DIA.
0.375 (9.50)
0.285(7.20)
1.0 (25.4)
MIN.
0.052(1.32)
0.048(1.22)
DIA.
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Metal silicon junction,majority carrier conduction
Guardring for overvoltage protection
Low power loss,high erriciency
High current capability,low forward voltage drop
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters,
free wheeling,and polarity protection applications
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-201AD molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.04
ounce, 1.10 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for current capacitive load derate by 20%.
SYMBOLS
1N5820
1N5821
1N5822
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at T
L
=95 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
3.0
40
28
40
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
STG
0.475
80.0
0.500
2.0
40.0
300.0
40.0
-65 to +125
0.525
Amps
Volts
mA
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
www.shunyegroup.com.cn

1N5822相似产品对比

1N5822 1N5820
描述 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201 RECTIFIER DIODE
状态 ACTIVE ACTIVE
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