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SR3090C

产品描述30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小248KB,共2页
制造商SHUNYE
官网地址http://www.shunyegroup.com.cn/
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SR3090C概述

30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

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SR3020C THRU SR30A0C
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage -
20 to 100 Volts
TO-220AB
0.415(10.54)
MAX
0.154(3.91)
DIA
0.148(3.74)
0.185(4.70)
0.175(4.44)
0.055(1.27)
0.045(1.14)
0.113(2.87)
0.103(2.62)
0.145(3.68)
0.135(3.43)
0.410(10.41)
0.390(9.91)
PIN
1
2
3
0.160 (4.05)
0.140 (3.55)
0.635(16.13)
0.625(15.87)
0.350(8.89)
0.330(8.38)
1.148(29.16)
1.118(28.40)
0.590(14.22)
0.530(13.46)
0.037(0.94)
0.027(0.68)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.560(14.2)
0.530(13.4)
Forward Current -
30.0 Amperes
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free
molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C,0.25
(6.35mm) from case for 10 seconds
0.110(2.79)
0.100(2.54)
MECHANICAL DATA
0.022(0.58)
0.014(0.35)
PIN 2
CASE
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
PIN 1
PIN 3
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
TO-220AB molded plastic body
Terminals:
Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
As marked
Mounting Position:
Any
Weight:0.080
ounce, 2.24 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
3020C 3030C 3040C 3045C 3050C 3060C 3070C 3080C 3090C 30A0C
SR
SR
SR
SR
SR
SR
SR
SR
SR
SR
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
(see fig.1)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 15.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
32
45
50
35
50
60
42
60
30.0
70
49
70
80
56
80
90 100
63 70
90 100
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JC
T
J
T
STG
0.65
15.0
750
300.0
0.75
1.0
50.0
500
2.0
-65 to +125
-65 to +150
-65 to +150
0.85
Amps
Volts
mA
pF
C/W
C
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to case
www.shunyegroup.com.cn

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描述 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AB 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
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