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MUR120

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小81KB,共3页
制造商SHUNYE
官网地址http://www.shunyegroup.com.cn/
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MUR120概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 200 V, 硅, 信号二极管, DO-41

MUR120规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0300 us
最大重复峰值反向电压200 V
最大平均正向电流1 A

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MUR105 --- MUR160
SUPER FAST RECT IFIER
FEATURES
Low cos t
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with alcohol,Is opropanol
and s im ilar s olvents
The plas tic m aterial carries U/L recognition 94V-0
VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V
CURRENT: 1.0 A
DO - 41
MECHANICAL DATA
Cas e:JEDEC DO--41,m olded plas tic
Term inals : Axial lead ,s olderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces ,0.34 gram s
Mounting pos ition: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,60 Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
MUR MUR MUR MUR MUR
105
110
115
120
130
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
MUR MUR MUR
UNITS
140
150
160
400
280
400
500
350
500
600
420
600
V
V
V
A
V
RRM
V
R MS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
1.0
300
210
300
Peak f orw ard surge current
8.3ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
35.0
A
Maximum instantaneous f orw ard voltage
@ 1.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.875
10.0
100.0
25
22
50
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
1.2
1.25
V
A
50
ns
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
N OTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MH z and applied rev erse v oltage of 4.1V D C .
3. Therm al res istanc e f rom junction to am bient.
www.shunyegroup.com.cn

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