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SB330

产品描述3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小255KB,共2页
制造商SHUNYE
官网地址http://www.shunyegroup.com.cn/
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SB330概述

3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 30 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

SB330规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压30 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流80 A

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SB320 THRU SB3B0
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage -
20 to 100 Volts
DO-201AD
Forward Current -
3.0 Amperes
FEATURES
1.0 (25.4)
MIN.
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA.
0.375 (9.50)
0.285(7.20)
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Metal silicon junction,majority carrier conduction
Low power loss,high efficiency
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
1.0 (25.4)
MIN.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA.
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-201AD molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.04
ounce, 1.10 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
SB SB
320 330
SB340SB SB
350 360
SB
370
SB
380
SB
390
SB
3B0
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length(see fig.1)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
3.0
70
49
70
80
56
80
90
63
90
100
70
100
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
STG
0.55
20.0
250
-65 to +125
80.0
0.70
0.5
10.0
160
40.0
-65 to +150
-65 to +150
0.85
Amps
Volts
mA
pF
C/W
C
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
www.shunyegroup.com.cn

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