BUK542-60B,BUK542-60B pdf中文资料,BUK542-60B引脚图,BUK542-60B电路-Datasheet-电子工程世界

BUK542-60B: 产品描述PowerMOS transistor Logic level FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小54KB，共8页; 制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.); 官网地址https://www.nxp.com/

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BUK542-60B概述

PowerMOS transistor Logic level FET

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8.4 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	60 W
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

	BUK542-60B	BUK542-60A
描述	PowerMOS transistor Logic level FET	PowerMOS transistor Logic level FET
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknow	unknow
配置	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8.4 A	9.2 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	60 W	60 W
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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