BY296 ... BY299
BY296 ... BY299
Fast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug
Version 2015-11-19
~ DO-201
Typical Application
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade
1
)
Features
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped in ammo pack
Weight approx.
Ø 1.2
±0.05
RoHS
I
FAV
= 2 A
V
F
< 1.3 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 100...800 V
I
FSM
= 70/80 A
t
rr
< 500 ns
Typische Anwendung
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung
1
)
Ø 4.5
+0.1
-
0.3
±0.5
Type
7.5
±0.1
EL
V
Pb
Besonderheit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
Gegurtet in Ammo-Pack
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
EE
WE
62.5
1700
1g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Case material
Solder & assembly conditions
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
2
)
Type
Typ
BY296
BY297
BY298
BY299
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
100
200
400
800
Grenzwerte
2
)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
100
200
400
800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
2 A
3
)
20 A
3
)
70/80 A
24 A
2
s
-50...+150°C
-50...+175°C
1
2
3
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
j
= 25°C unless otherwise specified – T
j
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
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Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
Forward recovery time
Durchlassverzugszeit
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 3 A
V
R
= V
RRM
V
R
= 4 V
I
F
= 100 mA
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
V
F
I
R
C
j
t
fr
t
rr
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 1.3 V
< 5 µA
15 pF
< 1.0 µs
< 500 ns
< 25 K/W
1
)
< 10 K/W
120
[%]
100
10
2
[A]
10
80
T
j
= 125°C
60
1
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
T
j
= 25°C
I
F
10
-2
70a-(3a-1.3v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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2
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