FX2000A ... FX2000G
FX2000A ... FX2000G
Superfast Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-06-28
Nominal Current
Nennstrom
Ø 8
±0.1
20 A
50...400 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
±0.5
Ø 1.6
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
FX2000A
FX2000B
FX2000D
FX2000F
FX2000G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
300
400
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
7.5
±0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
300
400
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
j
T
S
20 A
1
)
130 A
1
)
650/715 A
2112 A
2
s
-50...+150°C
+200°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
FX2000A ... FX2000G
Characteristics
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
T
j
= 25°C
I
F
= 5 A
I
F
= 20 A
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 0.82 V
< 0.94 V
< 5 µA
< 200 µA
< 200 ns
< 8 K/W
1
)
< 1.5 K/W
T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
T
j
= 100°C
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
T
j
= 125°C
80
10
T
j
= 25°C
60
40
1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
I
F
10
-1
400a-(5a-0,8v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
2
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